铁电隧穿结

芯片半导体

国产铁电隧穿结突破开关电阻差1900万倍

中科院半导体所研制出新型铁电隧穿结，利用埃米级滑移让开关电阻差达1900万倍，可反复开关超千亿次，为存算一体芯片提供新路径。

2026年9月15日