瑶芯微
-
碳化硅超级结MOSFET全球首发 国产功率器件逼近物理极限
瑶芯微联合西电郝跃院士团队发布全球首款碳化硅超级结MOSFET，1200V器件耐压1635V、功率密度提升81%，国产功率芯片逼近物理极限。
瑶芯微联合西电郝跃院士团队发布全球首款碳化硅超级结MOSFET，1200V器件耐压1635V、功率密度提升81%，国产功率芯片逼近物理极限。
