长鑫存储
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长鑫HBM3试产良率约25% TSV成最大瓶颈
据韩媒报道，长鑫存储HBM3试产初期良率约25%，瓶颈在TSV硅通孔。本文解析HBM3价值、良率含义与国产存储突围难点。
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三星前芯片总裁：中国DRAM扩产 明年把价格打下来
快科技5月19日消息，全球DRAM内存自去年夏天起持续疯涨，DDR5价格累计涨幅高达414%，玩家装机成本被层层推高。但三星电子前半导体（DS）部门总裁庆桂显近日公开预测，此轮涨价…
据韩媒报道，长鑫存储HBM3试产初期良率约25%，瓶颈在TSV硅通孔。本文解析HBM3价值、良率含义与国产存储突围难点。
快科技5月19日消息，全球DRAM内存自去年夏天起持续疯涨，DDR5价格累计涨幅高达414%，玩家装机成本被层层推高。但三星电子前半导体（DS）部门总裁庆桂显近日公开预测，此轮涨价…
