鲸云网9月12日消息，据媒体报道，9月10日，据韩媒援引业界数据报道，中国最大DRAM厂商长鑫存储（CXMT）已启动第四代高带宽内存HBM3试产，但初期良率停留在约25%，远低于行业80%的量产“黄金线”，问题根源指向TSV硅通孔技术。长鑫方面尚未公开回应，本文结合公开资料拆解这条消息背后的技术含义与产业语境。
一、HBM3为何成了AI时代的“战略物资”
HBM（高带宽内存）是一种基于3D堆叠的高性能DRAM，通过TSV硅通孔把多颗DRAM垂直堆叠、再与GPU封装在一起，解决的是AI算力的“内存墙”瓶颈。单堆栈HBM3E带宽可达1.2TB/s，是普通DDR5的6—8倍——简单来说，DDR5用在电脑手机上、成本低但带宽有限，HBM3则专为AI GPU设计、带宽高出数倍。随着大模型训练与推理爆发，HBM成为AI服务器GPU的核心组件，价格从2025年中的约180—220美元/颗涨至2026年中的700—850美元，机构预测2026年全球市场规模将突破500亿美元。
二、25%良率意味着什么，瓶颈卡在TSV
半导体行业通常把80%视为进入经济量产的门槛，25%意味着约每4颗里有3颗在测试环节报废；作为参照，韩媒称SK海力士自2022年量产HBM3以来良率已超90%。差距主要来自TSV：长鑫每颗芯片TSV约3000个，而三星HBM2超5000个、SK海力士HBM3超8000个，通孔越多，对对准、电镀、键合精度的要求就呈指数级上升，韩媒认为韩厂在此领先4—5年。
需要指出的是，25%只是试产早期水平，不必过度解读为“失败”。HBM要在单颗芯片上钻约3000—8000个微米级通孔并完成铜填充与多层键合，任一步偏移都会导致整层报废，良率爬坡本就是工程常态——SK海力士早期HBM同样经历这一过程，关键看后续工艺改进速度。报道也承认，长鑫正将少量HBM样品供应给寒武纪等中国企业，并持续推进良率改善。
容易被忽视的是，长鑫在传统DRAM上进展其实很快。据媒体援引QUICK FactSet数据，其2026年二季度息税前利润率约82%，超过SK海力士（76%）、三星（70%）与美光，同期营收年增约1000%，在六大存储厂中增速居首；华为亦被报道正与长鑫联合研发HBM。换言之，长鑫缺的不是制造能力，而是HBM特有的先进封装经验，这也正是长电、通富等国产封测力量近两年重点投入的方向。比起单一良率数字，更值得跟踪的是长鑫何时拿出可商用、可交付的HBM3样品——市场消息称其计划2025年底交付样品、2026年推进小批量试产，规模量产时间尚未官宣，需以公司公告为准。
总体看，长鑫HBM3试产良率约25%折射出国产存储向高附加值HBM跃迁的真实难度，但其在DRAM主业的盈利与增速表明，差距更多是工艺经验而非能力天花板，后续进展取决于TSV与先进封装的突破节奏。
编辑：小昭
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