鲸云网11月8日消息，据 The Information 报道，随着人工智能硬件需求激增、全球 DRAM 内存供应持续紧张且价格不断上涨，台积电正应最大客户英伟达的要求，研究 3D DRAM 内存制造的可行性。若计划最终落地，台积电将开辟一项新业务，但也要面对内存市场周期性波动的风险，并进一步扩大其在 AI 供应链中的话语权。
台积电随后对此予以否认。据 Tom’s Hardware 报道，台积电一名发言人表示，公司始终专注于核心业务，即专业集成电路代工，多年来持续作为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。
尽管台积电公开否认，The Information 仍援引两名了解该计划的人士称，在英伟达提出要求之后，台积电已经开始为 3D DRAM 制造业务制定相关计划。该项工作据称由公司副总裁徐国晋负责监督，他目前主管先进封装业务，此前曾任美光科技台湾地区业务负责人。
这一动向出现在全球内存普遍短缺的背景之下。AI 服务器与高性能加速卡对高带宽内存的需求快速膨胀，内存正从一种普通大宗商品转变为具有战略意义的资源，其供应是否充足甚至可能决定企业能否按时向客户交付产品。
台积电目前与美光、三星、SK 海力士等 DRAM 制造商保持密切合作，并为客户将内存封装进系统级封装（SiP）产品，但公司本身并不具备 DRAM 制造所需的专业工艺和产能，更不必说结构更复杂的 3D DRAM。
即便对于三大 DRAM 制造商而言，3D DRAM 距离真正量产也还有数年时间。美光的路线图显示，在真正实现 3D DRAM 之前，至少还要推出四代平面 DRAM 制程技术。这意味着即便台积电真的推进该业务，至少五年内也难以缓解当前的内存短缺。
技术层面，传统 DRAM 将存储单元排布在同一平面，3D DRAM 则通过垂直堆叠多层存储单元来提升单晶圆可容纳的存储容量。但 DRAM 生产需要完全不同的制造流程，台积电虽拥有领先的逻辑工艺，若要进军内存制造仍须自行开发相关技术，而 3D DRAM 的多层堆叠对缺陷控制和良率维持提出了更高要求。
行业分析指出，若台积电最终决定进入 DRAM 市场，收购一家拥有自有晶圆厂的小型专业内存制造商也是一种可行路径，可借此快速获得制造能力，而非从零起步搭建产线。
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