鲸云网9月16日消息，据媒体报道，日本功能性化学品企业力森诺科（Resonac，原昭和电工）9月15日宣布，成功制造出直径300毫米（12英寸）的碳化硅（SiC）单晶，并完成从晶体生长到衬底加工的制备。300毫米是目前全球在研碳化硅衬底中并列最大的尺寸，这一成果让大尺寸化路径又往前推了一步。
碳化硅被称作第三代半导体代表，拥有约为硅材料三倍的临界击穿电场、出色的热导率和近红外透光性，是电动车功率模块、光伏逆变器、5G基站以及高发热芯片热管理的核心材料。力森诺科当前的主力产品还是150毫米（6英寸）外延晶圆，200毫米（8英寸）刚跨过客户验证开始出货——从6英寸主力直接跳到12英寸单晶，跨度并不小。这次突破依托其在单晶生长与衬底加工上的长期积累，并获得日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）绿色创新基金支持，也延续了它在碳化硅材料领域多年的研发投入与工艺沉淀。
力森诺科并非唯一站上12英寸门槛的厂商。天岳先进在2024年11月Semicon Europe发布了业界首款300毫米N型导电碳化硅衬底；Wolfspeed今年1月生产出300毫米碳化硅单晶晶圆，定位面向AI数据中心晶圆级高压供电与下一代XR光学；Coherent今年8月向AI半导体伙伴送样300毫米高导热碳化硅衬底，宣称散热较现有方案提升25%。大尺寸化最大的拦路虎是晶体生长中的应力控制——碳化硅硬度高、易开裂，直径翻倍意味着热场与气体流场的均匀性要求陡增，这也是行业主流仍停留在6到8英寸的原因。集体冲刺大尺寸的背后是降本刚需：碳化硅衬底在器件成本中占比高达约47%，12英寸晶圆表面积是8英寸的2.25倍，单片合格芯片产出可增约2.5倍，量产后单片成本有望降低40%。这与站内此前报道的长鑫HBM3存储芯片国产化、英特尔18A先进制程良率爬坡同属半导体制造向上突破的主线，只是战场从逻辑与存储转移到了材料端。
需求侧也在给大尺寸化添柴。市场机构测算，全球碳化硅器件市场2025年约40.2亿美元、2026年约50.4亿美元，到2034年有望增至186.1亿美元；仅汽车领域就从2023年的23亿美元增长至2026年的40亿美元，800伏及以上高压快充平台对碳化硅需求尤其突出。更值得关注的是，AI数据中心高功率供电与高发热密度芯片正为碳化硅打开新空间，Coherent把12英寸衬底直接指向AI散热就是信号。对普通消费者来说，这场尺寸竞赛的终点不是参数漂亮，而是车规级碳化硅器件真正降价、让电动车和快充更便宜；从“造出单晶”到稳定量产仍有距离，力森诺科计划三年内把12英寸衬底月产能做到千片级，良率与成本曲线才是真正的考验。
编辑：小昭
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