鲸云网9月20日消息，据媒体报道，长鑫科技在2026世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5）正式量产。该平台将内存阵列有源区半间距推进到11.95纳米，每张晶圆产出较上一代提升50%以上，基于它打造的24GB容量点LPDDR5X已规模供货、全面进入国产主流旗舰手机。这意味着国产移动DRAM在尖端制程上第一次逼近全球最顶尖的量产节点，也补上了长鑫自2025年10月量产上一代LPDDR5X之后的关键一跃。
G5平台的技术含金量集中在几组数字里。内存阵列半间距做到11.95纳米，逼近三星、SK海力士最先进的1b/1c纳米级DRAM节点；存储电容深宽比拉到45比1，核心功能区高度压到6762纳米，并引入高介电常数金属栅（HKMG）工艺。更关键的是，长鑫走的是四重曝光路线——在不依赖EUV光刻机的前提下，用多重曝光在DUV上把线宽推进到这一水平，而三星与海力士的同代先进节点普遍依赖EUV，这也是过去几年国产存储绕开设备瓶颈、走出独立工艺路径的代表。配套速率一口气给到8533Mbps、9600Mbps、10667Mbps三档，兼容LPDDR5标准，单颗颗粒容量做到24Gb，较上一代提升50%，封装提供496Ball与245Ball两种规格。
这次量产不是实验室样品。长鑫官方披露，基于G5的24GB LPDDR5X已进入规模量产，努比亚NaviX Ultra搭载了10667Mbps这一最高速率版本，这也是国产10667Mbps高速率LPDDR5X的首次量产落地；更早之前小米18 Fold首发了长鑫的LPDDR6内存，峰值速率达到12800Mbps，两条产品线并行推进，其中LPDDR6面向明后年的旗舰平台、LPDDR5X先解决当下主流机型的供给。过去高端移动DRAM市场长期被三星、海力士、美光三家把持，合计占据全球九成以上份额，长鑫挤进旗舰供应链，意义不止于单一产品，而是国产存储第一次在消费电子高端市场站稳脚跟。从长鑫HBM3试产到如今G5落地，这家成立于2016年、坐拥三座12英寸晶圆厂、按产能与出货量居国内第一、全球第四的企业，工艺台阶在明显抬升。
放到更长周期看，G5更重要的价值在成本与供应。晶圆产出提升50%意味着同等产能下可用裸片更多，在单位成本上拉开空间，而当前存储正处在涨价周期，长鑫的增量供给对国产手机厂商多了一层议价筹码，与近期存储芯片报价上涨的背景恰好形成对照。长鑫表示G5工艺水平已比肩行业顶尖量产节点，后续会继续迭代更高性能、更高可靠性的产品。对消费者而言，旗舰手机的“内存自由”或许会比预期来得更快一些，国产旗舰用上自家高速内存也不再是新闻。从产业节奏看，G5的量产时点正好卡在国产手机新一轮旗舰发布季之前，长鑫若能稳定放量，将直接缓解厂商对海外存储的依赖，也为后续LPDDR6的普及打下产能基础。
编辑：小昭
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