鲸云网10月21日消息，据媒体报道，英伟达下一代 Groq LPU AI 推理加速器芯片有望改用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。
当前一代 Groq LPU 采用的是大容量 SRAM 缓存设计，以提供快速的解码输出能力。
SRAM 在容量上偏小，且随着制程升级，单位面积密度提升收益有限，在支撑更大规模模型与芯片持续迭代上存在固有局限。
同样地，走大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已预告，其未来的 CS-6 将实现 3D 垂直集成 DRAM。
3D 堆叠 DRAM 借助 TSV 硅通孔工艺，在有限面积内扩充带宽与容量，被视为缓解 SRAM 瓶颈的一条路径。
这一调整目前仍处于消息阶段，量产时间与具体规格仍有待英伟达后续披露。
编辑：小昭
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