鲸云网10月22日消息，据媒体报道，美光在近日举行的 2026 年度技术网络研讨会上给出基础 DRAM 技术的走向判断，在对 DRAM、HBM 式堆叠内存、NAND 与 SSD 作展望后，将重点放在最底层的 DRAM 路线上。
美光方面认为，在二十余年的技术探索之后，4F² DRAM 因复杂度和成本上的短板，已没有可行的规模化路径。传统 2D 6F² DRAM 在尺寸收缩上触到瓶颈，美光因此选择把 3D DRAM 作为后续的发展方向。
这一判断并非孤例。长鑫存储此前表示，计划在年内推出 4F² & BV DDR5 RDIMM；另有消息称，三星电子已在首代亚 10nm 级 DRAM 上放弃了 4F² 路线。头部厂商在 4F² 上的取舍出现分化。
节点推进上，美光第 7 代 10nm 级 DRAM 节点 1δ 已进入良率爬坡阶段；第 8 代 10nm 级节点 1ε 引入晶圆键合技术；第 1 代亚 10nm 级节点 ζÅ 处于早期开发，导入 High NA EUV 光刻；第 2 代亚 10nm 级节点 ηÅ 正在寻路，计划应用新材料。
美光表示，1δ 工艺可带来约 25% 的代际存储密度提升，同时拥有优化的成本，这项技术将广泛用于 HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR、DDR 等产品。
编辑：小昭
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