鲸云网9月29日消息，据路透社报道，三星电子执行副总裁金泰宇表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家DRAM芯片厂商全部晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。
金泰宇直言，HBM与普通DRAM在争夺晶圆产能，扩大HBM产出规模，就有可能挤压标准DRAM的供给。这句话的分量在于产能数字之外的市场含义：HBM用同样 Sized 的晶圆切出更少、更贵的芯片，DRAM厂把产能向HBM倾斜，普通内存条的供给弹性就被压小了。
背景值得展开：HBM是AI算力的关键元器件，通过多层存储芯片垂直堆叠，让处理器以极高速度读取海量数据，是GPU和服务器的标配；该市场目前由SK海力士、三星电子和美光三家企业主导，海力士在HBM3E与HBM4代际上暂时领先。产能向HBM集中叠加AI服务器需求爆发，标准DRAM与现有存储格局都会被重塑，PC与手机内存价格大概率继续承压上行，近期已有厂商启动新一轮涨价谈判。国产存储力量则在此窗口加速追赶，长鑫的LPDDR5X已进入国产旗舰。
对下游整机厂商和消费者来说，这是一个提前锁单的信号：无论是PC、手机还是服务器，内存采购成本上行的压力明年可能更明显，装机与换机的时点选择值得掂量。
编辑：小昭
免责声明：本站转载的文章，版权归原作者所有；旨在传递信息，不代表本站的观点和立场。
