鲸云网10月12日消息，据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 之外，还包括 zNAND-T 与 zNAND-I。
报道称，zNAND-T 中的 T 代表 Throughput，即吞吐量，思路与闪迪、SK 海力士提出的 HBF 概念相近，为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现，堆叠方式采用 TSV 连接的 NAND Die。
zNAND-I 中的 I 则是 IOPS 的简写，指向随机性能，强调少量数据频繁读写操作中的表现，KV Cache 卸载就属于这一类场景。
按报道所述，三款 zNAND 产品各有专长，分别对应不同的应用负载，NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。
编辑：小昭
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