鲸云网10月21日消息，据媒体报道，三星晶圆代工部门将扩展其 8 纳米工艺技术，推出第二代 8LPU+ 平台。
三星提交给 IEDM 2026 的技术摘要显示，相较上一代 8LPU，新平台性能提升 12%、功耗降低 15%、芯片面积缩小 8%，并通过 ULL-SRAM 与 cHVT 器件降低待机漏电。
三星计划于 12 月 14 日（太平洋时间）在 IEDM 2026 活动上公开演讲，介绍这一平台细节。
与先进制程普遍依赖 EUV（极紫外）光刻不同，8LPU+ 明确采用“无 EUV”路线，继续利用现有 DUV（深紫外）产线。这有助于三星避开高昂的 EUV 设备投入，在成熟制程上争取更低成本、更快量产的竞争力。
该平台主要面向边缘 AI、机器人和汽车芯片。三星称，8LPU+ 集成原生 3.3V 平面 I/O 器件，可额外减少约 10% 的 I/O 面积。
在车载方向，其汽车级 1 级（AG1）eMRAM 位单元面积约为 0.017 平方微米，相当于每平方毫米约 20Mb 存储容量。
编辑：小昭
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