光州826万平半导体集群落定 SK海力士三星提速扩产

韩国全南光州826万平半导体集群规划落地,SK海力士与三星争抢用地,目标2030年首批量产。

鲸云网9月25日消息,据媒体报道,韩国全南光州统合特别市9月25日公开了与SK海力士、三星电子就湖南地方半导体集群的协商资料,两家企业均要求大规模用地保障并加快投资落地。统合特别市计划在总面积826万平方米的国家产业园中优先供应约208万平方米可立即开发的土地,目标2027年启动整备、2030年6月实现首批量产。

SK海力士已明确表达在光州军用机场地块争取更大生产用地的意向。自2026年7月至9月,双方开展了9次经营层与实务层协商,社长及多位副社长先后实地考察,9月1日市长闵炯培还专程前往其利川园区与代表理事郭鲁正敲定晶圆厂选址与长期合作框架。需求侧是HBM(高带宽内存)的爆发——AI数据中心对先进存储的消耗远超供给,SK海力士当前仍握有全球约一半的HBM产能,却仍在为下一轮扩产抢地。

三星电子把重点放在“提速”上。其DS部门经营战略总括社长金容宽8月公开表示,龙仁国家产业园建设进度偏慢,希望获得更积极的支持,并将投产目标提前到2029年10月,湖南圈投资的准备时点也大幅前移。这并非孤立动作:2026年6月底三星与SK海力士刚宣布在韩国西南部建4座新厂、总投资约800万亿韩元(合5000亿美元以上),意图五年内把存储产能翻番。从行业数据看,三星正急起直追,Counterpoint统计其HBM营收份额已从一季度21%升至二季度33%,与SK海力士的差距由37个百分点收窄到17个,并计划把HBM晶圆月投入从18万片提升到25万片、HBM4占比目标拉到80%。

在韩厂聚焦高价值存储的同时,国产阵营也在补全拼图。长鑫G5平台已量产24GB LPDDR5X,二季度DRAM营收份额首次突破10%、跻身全球第四,与长江存储的NAND突破形成呼应。机构预计明年HBM需求增长56%、高于供应50%的增速,HBM4价格可能比今年高出约65%,传统DRAM合约价也在上行。当AI算力的瓶颈越来越卡在“内存墙”上,谁先把产能变成良率与出货量,谁就握住了下一轮周期的门票。

编辑:小昭

免责声明:本站转载的文章,版权归原作者所有;旨在传递信息,不代表本站的观点和立场。

赞 (0)
上一篇 2026年9月25日 上午11:57
下一篇 2026年9月25日 下午3:19

相关推荐