碳化硅

瑶芯微联合西电郝跃院士团队发布全球首款碳化硅超级结MOSFET，1200V器件耐压1635V、功率密度提升81%，国产功率芯片逼近物理极限。

力森诺科成功制造300mm碳化硅单晶衬底，与天岳先进、Wolfspeed同处12英寸第一梯队，降本逻辑指向电动车与AI数据中心。