鲸云网11月10日消息，据媒体报道，英飞凌当地时间 9 日宣布，首次在全规模晶圆厂环境中将 300mm（12 英寸）碳化硅晶圆加工为功率半导体器件。这是业内首次在 300mm 这一更大尺寸上完成 SiC 功率器件的整线制造验证，此前该类器件多以 150mm、200mm 产线为主。
此次试制依托奥地利 Villach 晶圆厂既有的硅（Si）半导体制造设备完成。碳化硅能否复用成熟的 300mm 硅产线，是衡量其规模化降本潜力的关键门槛，英飞凌用现有产线跑通整线，意味着无需为 12 英寸 SiC 单独新建专用工厂。
英飞凌方面表示，将与客户和合作伙伴共同规划 12 英寸 SiC 技术的量产节奏，同时继续推进其 200mm SiC 制造路线图。两条尺寸路线并行推进，反映出大尺寸化已成为功率器件厂商的明确方向。
在德国德累斯顿工厂，英飞凌还验证了冷分片（cold split）技术在 12 英寸 SiC 上的可行性。该工艺介于传统线锯切割与剥离之间，可提升晶锭到晶圆的转化效率，并减少加工过程中的材料损耗。
碳化硅相比硅材料具备更高耐压、更低损耗的特性，是电动汽车主驱逆变器、大功率快充和电网设备的关键材料。晶圆从 200mm 迈向 300mm 后，单片可切出的芯片数量显著增加，单位器件成本随之向下摊薄。
行业层面，车规与能源场景对 SiC 的需求持续放量，头部厂商近两年密集押注更大尺寸产线。英飞凌、意法半导体、Wolfspeed 等均在推进 300mm 相关布局，但整线制造验证此前尚无公开先例，英飞凌这一步把产业化预期向前推了一档。
对终端市场而言，更大尺寸 SiC 晶圆若能进入量产，将直接缓解车规级器件的供给紧张，并压低整车功率电子部件的成本。不过英飞凌尚未公布具体量产时间表，商业化节奏仍取决于客户协同与设备改造进度。
在硅基功率器件增长趋缓的背景下，碳化硅被视为下一段增量主线。英飞凌此次把成熟硅产线能力迁移到 SiC，给行业提供了一条以存量产能换增量品类的参考路径。
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